13N110A Todos los transistores

 

13N110A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 13N110A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.92 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AD
 

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13N110A Datasheet (PDF)

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13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52

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13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52

Otros transistores... 10N80B , 10N90A , 11N10 , 11N10G , 11P50A , 12N50A , 12N60A , 12N60AF , IRF830 , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , 1HN04CH , 1HP04CH .

History: IXFN100N20 | HYG400P10LR1U | BLM7002K | SVF740F | SJMN600R70MF | AP3400S | WVM30N10

 

 
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