13N110A Todos los transistores

 

13N110A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 13N110A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.92 Ohm

Encapsulados: TO-247AD

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13N110A datasheet

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13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

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13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

Otros transistores... 10N80B , 10N90A , 11N10 , 11N10G , 11P50A , 12N50A , 12N60A , 12N60AF , 2N60 , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , 1HN04CH , 1HP04CH .

History: STS3414 | 2N6845U | AOD4132 | SLH95R130GTZ | MDU1512RH | ZXMP3A17E6 | MDU1511RH

 

 

 

 

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