Справочник MOSFET. 13N110A

 

13N110A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 13N110A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.92 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AD
 

 Аналог (замена) для 13N110A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

13N110A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  ixys
 13n110a.pdf pdf_icon

13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52

 8.1. Size:46K  ixys
 ixth13n110.pdf pdf_icon

13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 VMegaMOSTMFET ID25 = 13 ARDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 1100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C13 AG = Gate, D = Drain,IDM TC = 25C, pulse width limited by TJM 52

Другие MOSFET... 10N80B , 10N90A , 11N10 , 11N10G , 11P50A , 12N50A , 12N60A , 12N60AF , IRF830 , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , 1HN04CH , 1HP04CH .

History: MTE130N20J3 | SI4925BDY | WML13N80M3 | IRF543FI | SSW20N60S | SI4914DY

 

 
Back to Top

 


 
.