13N110A - описание и поиск аналогов

 

13N110A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 13N110A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.92 Ohm

Тип корпуса: TO-247AD

Аналог (замена) для 13N110A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

13N110A даташит

 ..1. Size:49K  ixys
 13n110a.pdf pdf_icon

13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

 8.1. Size:46K  ixys
 ixth13n110.pdf pdf_icon

13N110A

IXTH 13N110 VDSS = 1100 V MegaMOSTMFET ID25 = 13 A RDS(on) = 0.92 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 1100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1100 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C13 A G = Gate, D = Drain, IDM TC = 25 C, pulse width limited by TJM 52

Другие MOSFET... 10N80B , 10N90A , 11N10 , 11N10G , 11P50A , 12N50A , 12N60A , 12N60AF , 2N60 , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , 1HN04CH , 1HP04CH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.