1HP04CH Todos los transistores

 

1HP04CH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1HP04CH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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1HP04CH Datasheet (PDF)

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1HP04CH

Ordering number : EN*A0926A 1HP04CH Advance Information http://onsemi.com P-Channel Small Signal MOSFET 100V, 170mA, 18, Single CPH3 Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 100 V Gate to Source Voltage V

Otros transistores... 13N110A , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , 1HN04CH , IRF830 , 1N60AF , 1N60E , 1N60F , 1N60G , 20N50B , 20N60A , 24N50A , 24N50B .

History: BSC0906NS | STT04N20 | BSC0921NDI | SM6032NSG | TMA2N60H | WNM2016-3 | 2SK2793

 

 
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