Справочник MOSFET. 1HP04CH

 

1HP04CH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 1HP04CH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 18 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для 1HP04CH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

1HP04CH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  onsemi
 1hp04ch.pdf pdf_icon

1HP04CH

Ordering number : EN*A0926A 1HP04CH Advance Information http://onsemi.com P-Channel Small Signal MOSFET 100V, 170mA, 18, Single CPH3 Features 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Value UnitDrain to Source Voltage VDSS 100 V Gate to Source Voltage V

Другие MOSFET... 13N110A , 13N60A , 13N60AF , 16N60A , 16N60AF , 16N60B , 19MT050XFAPBF , 1HN04CH , MMIS60R580P , 1N60AF , 1N60E , 1N60F , 1N60G , 20N50B , 20N60A , 24N50A , 24N50B .

History: 6N90 | NDS335N | ME2308D-G | VN1206N5 | APT1201R4BLL | APT20M16LFLL | SMG5406

 

 
Back to Top

 


 
.