24N50A Todos los transistores

 

24N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 24N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: LCC
 

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24N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  microsemi
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24N50A

2830 S. Fairview St.Santa Ana, CA 92704PH: (714) 979-8220FAX: (714) 966-5256MSAFX24N50AFeatures500 Volts Ultrafast body diode24 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability230 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistanceN-CHANNE

 0.1. Size:990K  jilin sino
 jcs24n50wh jcs24n50abh.pdf pdf_icon

24N50A

N N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.2. Size:631K  feihonltd
 fha24n50a.pdf pdf_icon

24N50A

 0.3. Size:4754K  first semi
 fir24n50aptg.pdf pdf_icon

24N50A

FIR24N50APTGHigh Voltage N-Channel MOSFETPIN Connection TO-3PFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :90 nC (Typ.) gSchematic dia ram BVDSS=500V,ID=24A D Lower RDS(on) : 0.2 (Max) @VG=10V G 100% Avalanche Tested S Marking DiagramY = YearA = Assembly Location

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