BCS4N10 Todos los transistores

 

BCS4N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCS4N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257F
 

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BCS4N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  china
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BCS4N10

BCS4N10 PD TC=25 14 W ID TC=25 4 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +155 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=3.8A 0.55 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs VDS=15V,IDS=3.8A(N)IDS=4.1A(P) 1.2 S IDSS VDS=

Otros transistores... 20N50B , 20N60A , 24N50A , 24N50B , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , AO3407 , BFC60 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , BFD82 , BFD88 , BLM138K , BLM2301 .

History: IRL2910PBF | G01N20R | SWI075R06ET | IPI072N10N3G | SIR878DP | SSF11NS60D | AOCA32107E

 

 
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