BCS4N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCS4N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257F
Búsqueda de reemplazo de BCS4N10 MOSFET
BCS4N10 Datasheet (PDF)
bcs4n10.pdf

BCS4N10 PD TC=25 14 W ID TC=25 4 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +155 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=3.8A 0.55 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs VDS=15V,IDS=3.8A(N)IDS=4.1A(P) 1.2 S IDSS VDS=
Otros transistores... 20N50B , 20N60A , 24N50A , 24N50B , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , AO3407 , BFC60 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , BFD82 , BFD88 , BLM138K , BLM2301 .
History: IRL2910PBF | MMP7245 | IPA030N10N3 | WMO9N50D1B | ME2301GC-G | FS5VS-9 | SI4062DY
History: IRL2910PBF | MMP7245 | IPA030N10N3 | WMO9N50D1B | ME2301GC-G | FS5VS-9 | SI4062DY



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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