Справочник MOSFET. BCS4N10

 

BCS4N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BCS4N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-257F
 

 Аналог (замена) для BCS4N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BCS4N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  china
 bcs4n10.pdf pdf_icon

BCS4N10

BCS4N10 PD TC=25 14 W ID TC=25 4 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +155 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=3.8A 0.55 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs VDS=15V,IDS=3.8A(N)IDS=4.1A(P) 1.2 S IDSS VDS=

Другие MOSFET... 20N50B , 20N60A , 24N50A , 24N50B , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , AO3407 , BFC60 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , BFD82 , BFD88 , BLM138K , BLM2301 .

History: WFF5N65L | H5N2003P | SSM9926EM | AON6504 | FHP110N8F5A | STP11NB40FP | IPI90N06S4L-04

 

 
Back to Top

 


 
.