BCS4N10 - описание и поиск аналогов

 

BCS4N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCS4N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-257F

Аналог (замена) для BCS4N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BCS4N10 даташит

 ..1. Size:109K  china
 bcs4n10.pdf pdf_icon

BCS4N10

BCS4N10 PD TC=25 14 W ID TC=25 4 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +155 BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=3.8A 0.55 VGS th VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.0 V gfs VDS=15V,IDS=3.8A(N)IDS=4.1A(P) 1.2 S IDSS VDS=

Другие MOSFET... 20N50B , 20N60A , 24N50A , 24N50B , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , AO4407A , BFC60 , BFD63 , BFD71 , BFD77 , BFD82 , BFD88 , BLM138K , BLM2301 .

History: WMK4N150D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.