BFD63 Todos los transistores

 

BFD63 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFD63

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 198 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO-204AA

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BFD63 datasheet

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BFD63

BFD63 SEME LAB 4TH GENERATION MOSFET TO 3 (TO 204AA) Package Outline. Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS VDSS 1000V 1 2 ID(cont) 6.0A 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) RDS(on) 2.00 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) Pin 1 G

Otros transistores... 24N50A , 24N50B , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , BFC60 , IRFP064N , BFD71 , BFD77 , BFD82 , BFD88 , BLM138K , BLM2301 , BLM2302 , BLM2305 .

History: TK380A60Y | 2SK1315L | WMP15N60C4 | SFT1423 | APTC90DAM60CT1G | WMK16N70SR | SWU069R10VS

 

 

 

 

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