BFD63. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BFD63
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO-204AA
Аналог (замена) для BFD63
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BFD63 даташит
bfd63.pdf
BFD63 SEME LAB 4TH GENERATION MOSFET TO 3 (TO 204AA) Package Outline. Dimensions in mm (inches) N CHANNEL 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) 10.67 (0.42) ENHANCEMENT MODE 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS VDSS 1000V 1 2 ID(cont) 6.0A 3 (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) RDS(on) 2.00 7.92 (0.312) 12.70 (0.50) Pin 1 G
Другие MOSFET... 24N50A , 24N50B , 24N50C , 2MI50S-050 , 30N20A , 38N10A , BCS4N10 , BFC60 , IRFP064N , BFD71 , BFD77 , BFD82 , BFD88 , BLM138K , BLM2301 , BLM2302 , BLM2305 .
History: CS55N25A8R-G
History: CS55N25A8R-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404

