BLM4435 Todos los transistores

 

BLM4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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BLM4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:668K  belling
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BLM4435

Pb Free Product BLM4435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM4435 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -10A DS DR

 9.1. Size:510K  belling
 blm4407.pdf pdf_icon

BLM4435

Pb Free Product BLM4407 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM4407 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -12A DS DR

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History: STD2NK100Z | RFD4N06LSM | NTMFS5C430NLT1G | 2SJ607-ZJ | BL10N65A-P | SRC7N65D1

 

 
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