BLM4435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM4435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SOP-8
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BLM4435 datasheet
blm4435.pdf
Pb Free Product BLM4435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION G The BLM4435 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) S voltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -10A DS D R
blm4407.pdf
Pb Free Product BLM4407 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION G The BLM4407 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) S voltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -12A DS D R
Otros transistores... BLM2302 , BLM2305 , BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A , BLM3407 , BLM3407A , BLM3415 , IRLZ44N , BLM4953 , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A .
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