BLM4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BLM4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для BLM4435
BLM4435 Datasheet (PDF)
blm4435.pdf

Pb Free Product BLM4435 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM4435 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -10A DS DR
blm4407.pdf

Pb Free Product BLM4407 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM4407 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -12A DS DR
Другие MOSFET... BLM2302 , BLM2305 , BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A , BLM3407 , BLM3407A , BLM3415 , IRFP260N , BLM4953 , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A .
History: SWD4N65K | SM1105NSV | NCE01P03S | FCH041N65F-F085 | BLM3415 | LNE06R062 | FHP830B
History: SWD4N65K | SM1105NSV | NCE01P03S | FCH041N65F-F085 | BLM3415 | LNE06R062 | FHP830B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458