BLM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLM4953
   Código: 4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 12 nC
   Tiempo de subida (tr): 13 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLM4953

BLM4953 Datasheet (PDF)

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blm4953.pdf

Pb Free Product BLM4953 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D1D2The BLM4953 uses advanced trench technology to prov ide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G1 G2voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -5.1A DS

0.1. Size:273K belling
blm4953a.pdf

Pb Free Product BLM4953A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D1D2The BLM4953A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G1 G2voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -5.3A DS

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Liste

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