BLM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de BLM4953 MOSFET
BLM4953 Datasheet (PDF)
blm4953.pdf
Pb Free Product BLM4953 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D 1 D 2 The BLM4953 uses advanced trench technology to prov ide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G 1 G 2 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S 1 S 2 Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID
blm4953a.pdf
Pb Free Product BLM4953A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D1D2The BLM4953A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G1 G2voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -5.3A DS
Otros transistores... BLM2305 , BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A , BLM3407 , BLM3407A , BLM3415 , BLM4435 , IRF640N , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , BLM9926 .
History: BRCS3415MC
History: BRCS3415MC
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