Справочник MOSFET. BLM4953

 

BLM4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM4953
   Маркировка: 4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для BLM4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  belling
 blm4953.pdf pdf_icon

BLM4953

Pb Free Product BLM4953 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D 1 D 2 The BLM4953 uses advanced trench technology to prov ide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G 1 G 2 voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S 1 S 2 Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -30V,ID

 0.1. Size:273K  belling
 blm4953a.pdf pdf_icon

BLM4953

Pb Free Product BLM4953A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D1D2The BLM4953A uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)G1 G2voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -5.3A DS

Другие MOSFET... BLM2305 , BLM3400 , BLM3401 , BLM3401A , BLM3407 , BLM3407A , BLM3415 , BLM4435 , IRF640N , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , BLM9926 .

History: NTHD3101FT3 | FDD45AN06LA0

 

 
Back to Top

 


 
.