BLM9926 Todos los transistores

 

BLM9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de BLM9926 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLM9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  belling
 blm9926.pdf pdf_icon

BLM9926

Pb Free ProductBLM9926N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The BLM9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =20V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... BLM4953 , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , AON6414A , 20N15 , 25N40A , 2SJ126 , 2SK1105 , 2SK1917-M , 2SK1938-01 , 2SK1939-01 , 2SK1982-01M .

History: IPA65R125C7 | DMP6023LFG | FX70KMJ-03 | PSMN003-30P | JMSL1006PG | STP16NS25FP | STE150N10

 

 
Back to Top

 


 
.