BLM9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de BLM9926 MOSFET
BLM9926 Datasheet (PDF)
blm9926.pdf

Pb Free ProductBLM9926N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The BLM9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =20V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON)
Otros transistores... BLM4953 , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , IRFP250N , 20N15 , 25N40A , 2SJ126 , 2SK1105 , 2SK1917-M , 2SK1938-01 , 2SK1939-01 , 2SK1982-01M .
History: RCJ100N25 | 2N65G-T60-K | IPI020N06N | AP9918J | NCEP025N60 | 2SK1190 | BUZ48
History: RCJ100N25 | 2N65G-T60-K | IPI020N06N | AP9918J | NCEP025N60 | 2SK1190 | BUZ48



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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