BLM9926 Todos los transistores

 

BLM9926 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM9926

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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BLM9926 datasheet

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BLM9926

Pb Free Product BLM9926 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The BLM9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =20V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... BLM4953 , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , IRFB4115 , 20N15 , 25N40A , 2SJ126 , 2SK1105 , 2SK1917-M , 2SK1938-01 , 2SK1939-01 , 2SK1982-01M .

History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56

 

 

 


History: WSD2012DN25 | WSD6056DN56

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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

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