Справочник MOSFET. BLM9926

 

BLM9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для BLM9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:589K  belling
 blm9926.pdf pdf_icon

BLM9926

Pb Free ProductBLM9926N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The BLM9926 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =20V,ID =6A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... BLM4953 , BLM4953A , BLM7002 , BLM7002K , BLM8205 , BLM8205A , BLM9435 , BLM9435A , IRFP250N , 20N15 , 25N40A , 2SJ126 , 2SK1105 , 2SK1917-M , 2SK1938-01 , 2SK1939-01 , 2SK1982-01M .

 

 
Back to Top

 


 
.