FMV09N70E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMV09N70E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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FMV09N70E datasheet
fmv09n70e.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FMV09N70E FEATURES drain-source on-resistance RDS(on) 1.4 (max) Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
fmv09n90e.pdf
FMV09N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.0 0.
Otros transistores... BUK444-600A , BUK444-600B , BUK445-100A , BUK445-100B , BUK445-400A , BUK445-400B , BUK445-600A , BUK445-600B , IRF1407 , FRK250 , FRM230 , FRM240 , IPP015N04N , IPP023NE7N3 , IPP024N06N3 , IPP030N10N3 , IPP032N06N3 .
History: WNMD3014 | SFT1431
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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