FMV09N70E - описание и поиск аналогов

 

FMV09N70E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMV09N70E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FMV09N70E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV09N70E даташит

 ..1. Size:240K  inchange semiconductor
 fmv09n70e.pdf pdf_icon

FMV09N70E

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FMV09N70E FEATURES drain-source on-resistance RDS(on) 1.4 (max) Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 8.1. Size:454K  fuji
 fmv09n90e.pdf pdf_icon

FMV09N70E

FMV09N90E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise TO-220F(SLS) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.0 0.

Другие MOSFET... BUK444-600A , BUK444-600B , BUK445-100A , BUK445-100B , BUK445-400A , BUK445-400B , BUK445-600A , BUK445-600B , IRF1407 , FRK250 , FRM230 , FRM240 , IPP015N04N , IPP023NE7N3 , IPP024N06N3 , IPP030N10N3 , IPP032N06N3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.