FMV09N70E - аналоги и даташиты транзистора

 

FMV09N70E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FMV09N70E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FMV09N70E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMV09N70E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  inchange semiconductor
 fmv09n70e.pdf pdf_icon

FMV09N70E

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMV09N70EFEATURESdrain-source on-resistance:RDS(on) 1.4 (max)Fast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching regulatorsUPS (Uninterruptible Power Supply)DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 8.1. Size:454K  fuji
 fmv09n90e.pdf pdf_icon

FMV09N70E

FMV09N90E FUJI POWER MOSFETSuper FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicMaintains both low power loss and low noiseTO-220F(SLS)Lower R (on) characteristicDSMore controllable switching dv/dt by gate resistanceDrain(D)Smaller V ringing waveform during switchingGSNarrow band of the gate threshold voltage (4.00.

Другие MOSFET... BUK444-600A , BUK444-600B , BUK445-100A , BUK445-100B , BUK445-400A , BUK445-400B , BUK445-600A , BUK445-600B , RFP50N06 , FRK250 , FRM230 , FRM240 , IPP015N04N , IPP023NE7N3 , IPP024N06N3 , IPP030N10N3 , IPP032N06N3 .

History: STF19NM65N | 2N60L-TF3T-T | JMSL1008AKQ | JMSL1008AGQ | JMSL1006AK | JMSL1006PG | JMSL1006AGQ

 

 
Back to Top

 


 
.