IRFP7718 Todos los transistores

 

IRFP7718 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP7718
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 517 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IRFP7718 datasheet

 ..1. Size:555K  international rectifier
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IRFP7718

StrongIRFET IRFP7718PbF Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications VDSS 75V D Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 1.45m Synchronous rectifier applications 1.80m G max Resonant mode power supplies ID (Silicon Limited)

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
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IRFP7718

 9.1. Size:540K  international rectifier
 irfp7530pbf.pdf pdf_icon

IRFP7718

StrongIRFET IRFP7530PbF HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.65m Half-bridge and full-bridge topologies max 2.00m G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 281A Resonant mode power sup

 9.2. Size:257K  international rectifier
 irfp7430pbf.pdf pdf_icon

IRFP7718

StrongIRFETTM IRFP7430PbF Applications HEXFET Power MOSFET l Brushed Motor drive applications l BLDC Motor drive applications D VDSS 40V l Battery powered circuits RDS(on) typ. 1.0m l Half-bridge and full-bridge topologies max. 1.3m l Synchronous rectifier applications G l Resonant mode power supplies ID (Silicon Limited) 404A l OR-ing and redundant power switches S ID

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History: APT1201R6BVFRG

 

 
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