SFW2955 Todos los transistores

 

SFW2955 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFW2955

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO263

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SFW2955 datasheet

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SFW2955

SFW/I2955 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -9.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) 0.22 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drai

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History: 2SK2425 | AP25N170I

 

 

 

 

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