SFW2955 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SFW2955
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SFW2955 Datasheet (PDF)
sfi2955 sfw2955.pdf

SFW/I2955Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.22 (Typ.)112331. Gate 2. Drai
Другие MOSFET... SFU9110 , SFU9120 , SFU9130 , SFU9210 , SFU9214 , SFU9220 , SFU9224 , SFU9310 , IRF9540 , SFW9510 , SFW9520 , SFW9530 , SFW9540 , SFW9610 , SFW9614 , SFW9620 , SFW9624 .
History: RU20N65P
History: RU20N65P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor