SFW2955 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SFW2955
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SFW2955
SFW2955 Datasheet (PDF)
sfi2955 sfw2955.pdf
SFW/I2955Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = -60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = -9.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175oC Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = -60V Low RDS(ON) : 0.22 (Typ.)112331. Gate 2. Drai
Другие MOSFET... SFU9110 , SFU9120 , SFU9130 , SFU9210 , SFU9214 , SFU9220 , SFU9224 , SFU9310 , AON6414A , SFW9510 , SFW9520 , SFW9530 , SFW9540 , SFW9610 , SFW9614 , SFW9620 , SFW9624 .
History: GWM100-01X1-SMD
History: GWM100-01X1-SMD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM1030MA | AGM1010A-F | AGM1010A-E | AGM1010A2 | AGM08T15C | AGM085N10F | AGM085N10C1 | AGM085N10C | AGM065N10D | AGM065N10C | AGM056N10H | AGM056N10C | AGM056N10A | AGM056N08C | AGM042N10D | AGM10N15D
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor


