TK3A90E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK3A90E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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TK3A90E datasheet
tk3a90e.pdf
TK3A90E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK3A90E TK3A90E TK3A90E TK3A90E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.7 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.
Otros transistores... TK17A65W5 , TK17E80W , TK19A50W , TK22A65X5 , TK290A60Y , TK290A65Y , TK380A60Y , TK380A65Y , IRFB4115 , TK3R1A04PL , TK3R3A06PL , TK3R3E03GL , TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y .
History: SI3139KL3 | WMO26N65F2 | WMJ80R480S | SUP60N06-18 | APT4014BVFR | APT47N65BC3 | HY3810PM
History: SI3139KL3 | WMO26N65F2 | WMJ80R480S | SUP60N06-18 | APT4014BVFR | APT47N65BC3 | HY3810PM
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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