TK3A90E - описание и поиск аналогов

 

TK3A90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK3A90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для TK3A90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK3A90E даташит

 ..1. Size:385K  toshiba
tk3a90e.pdfpdf_icon

TK3A90E

TK3A90E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK3A90E TK3A90E TK3A90E TK3A90E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.7 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.

 ..2. Size:239K  inchange semiconductor
tk3a90e.pdfpdf_icon

TK3A90E

Другие MOSFET... TK17A65W5 , TK17E80W , TK19A50W , TK22A65X5 , TK290A60Y , TK290A65Y , TK380A60Y , TK380A65Y , IRFB4115 , TK3R1A04PL , TK3R3A06PL , TK3R3E03GL , TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y .

History: AP3P9R0H | HY1506I | AP3N028EN | AP4024EM | AP2045Q | AP9475GM | 2SK1443

 

 

 

 

↑ Back to Top
.