TK3R1A04PL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK3R1A04PL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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TK3R1A04PL datasheet
tk3r1a04pl.pdf
TK3R1A04PL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK3R1A04PL TK3R1A04PL TK3R1A04PL TK3R1A04PL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 17.5 nC (typ.) (3) Small o
tk3r1a04pl.pdf
INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK3R1A04PL ITK3R1A04PL FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.5m (typ.) (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 1.4 to 2.4V (VDS = 10 V, ID=0.5mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOL
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History: FQPF12N65C | 2SK2381 | TK4R3A06PL | WML90R500S | STB80NF03L-04 | NTHS4101P | BLV108
History: FQPF12N65C | 2SK2381 | TK4R3A06PL | WML90R500S | STB80NF03L-04 | NTHS4101P | BLV108
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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