TK3R1A04PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK3R1A04PL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 63.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK3R1A04PL
TK3R1A04PL Datasheet (PDF)
tk3r1a04pl.pdf
TK3R1A04PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK3R1A04PLTK3R1A04PLTK3R1A04PLTK3R1A04PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 17.5 nC (typ.)(3) Small o
tk3r1a04pl.pdf
INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK3R1A04PLITK3R1A04PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 2.5m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 1.4 to 2.4V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL
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