Справочник MOSFET. TK3R1A04PL

 

TK3R1A04PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK3R1A04PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для TK3R1A04PL

 

 

TK3R1A04PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  toshiba
 tk3r1a04pl.pdf

TK3R1A04PL TK3R1A04PL

TK3R1A04PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK3R1A04PLTK3R1A04PLTK3R1A04PLTK3R1A04PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 17.5 nC (typ.)(3) Small o

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk3r1a04pl.pdf

TK3R1A04PL TK3R1A04PL

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK3R1A04PLITK3R1A04PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 2.5m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 1.4 to 2.4V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top