Справочник MOSFET. TK3R1A04PL

 

TK3R1A04PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK3R1A04PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK3R1A04PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  toshiba
 tk3r1a04pl.pdf pdf_icon

TK3R1A04PL

TK3R1A04PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK3R1A04PLTK3R1A04PLTK3R1A04PLTK3R1A04PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 17.5 nC (typ.)(3) Small o

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk3r1a04pl.pdf pdf_icon

TK3R1A04PL

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK3R1A04PLITK3R1A04PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 2.5m (typ.) (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 1.4 to 2.4V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPS118N10NG | VBE1695 | STS8816

 

 
Back to Top

 


 
.