TK5R1E06PL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK5R1E06PL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
Encapsulados: TO220
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TK5R1E06PL datasheet
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TK5R1E06PL MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK5R1E06PL TK5R1E06PL TK5R1E06PL TK5R1E06PL 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge QSW = 11 nC (typ.) (3) Small out
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK5R1E06PL ITK5R1E06PL FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 5.1m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAX
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