TK5R1E06PL Todos los transistores

 

TK5R1E06PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK5R1E06PL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de TK5R1E06PL MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK5R1E06PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  toshiba
 tk5r1e06pl.pdf pdf_icon

TK5R1E06PL

TK5R1E06PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)(3) Small out

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 tk5r1e06pl.pdf pdf_icon

TK5R1E06PL

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK5R1E06PLITK5R1E06PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.1m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX

Otros transistores... TK3R3A06PL , TK3R3E03GL , TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , 12N60 , TK5R3A06PL , TK7E80W , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B .

History: NDP6030L | LCS50P03 | MMD65R900QRH | HMDN3010D | NTMS4816NR2G | HM4402E | NCE50N2K2K

 

 
Back to Top

 


 
.