TK5R1E06PL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK5R1E06PL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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TK5R1E06PL Datasheet (PDF)
tk5r1e06pl.pdf
TK5R1E06PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)(3) Small out
tk5r1e06pl.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK5R1E06PLITK5R1E06PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.1m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX
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Liste
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