Справочник MOSFET. TK5R1E06PL

 

TK5R1E06PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK5R1E06PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 87 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
   Время нарастания (tr): 6 ns
   Выходная емкость (Cd): 470 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK5R1E06PL

 

 

TK5R1E06PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  toshiba
tk5r1e06pl.pdf

TK5R1E06PL TK5R1E06PL

TK5R1E06PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)(3) Small out

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
tk5r1e06pl.pdf

TK5R1E06PL TK5R1E06PL

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK5R1E06PLITK5R1E06PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.1m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top