Справочник MOSFET. TK5R1E06PL

 

TK5R1E06PL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK5R1E06PL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK5R1E06PL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK5R1E06PL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  toshiba
 tk5r1e06pl.pdf pdf_icon

TK5R1E06PL

TK5R1E06PLMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PLTK5R1E06PL1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 11 nC (typ.)(3) Small out

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 tk5r1e06pl.pdf pdf_icon

TK5R1E06PL

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK5R1E06PLITK5R1E06PLFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 5.1m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =1.5 to 2.5V (VDS = 10 V, ID=0.3mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAX

Другие MOSFET... TK3R3A06PL , TK3R3E03GL , TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , 12N60 , TK5R3A06PL , TK7E80W , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B .

History: FQA16N50 | IRF832FI | WVM15N60 | NDP605B

 

 
Back to Top

 


 
.