TK7E80W MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK7E80W
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de TK7E80W MOSFET
TK7E80W Datasheet (PDF)
tk7e80w.pdf

TK7E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7E80WTK7E80WTK7E80WTK7E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.795 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhanceme
tk7e80w.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK7E80WITK7E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.95.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.28mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
Otros transistores... TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , IRF1010E , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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