TK7E80W Todos los transistores

 

TK7E80W MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK7E80W

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm

Encapsulados: TO220

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TK7E80W datasheet

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TK7E80W

TK7E80W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7E80W TK7E80W TK7E80W TK7E80W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.795 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhanceme

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
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TK7E80W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK7E80W ITK7E80W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.95 . Enhancement mode Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.28mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Otros transistores... TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , IRF9540N , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM .

History: IXFA110N15T2 | SCH1330 | 2SK1298 | SI4403DDY

 

 

 

 

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