Справочник MOSFET. TK7E80W

 

TK7E80W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK7E80W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK7E80W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7E80W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  toshiba
 tk7e80w.pdf pdf_icon

TK7E80W

TK7E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7E80WTK7E80WTK7E80WTK7E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.795 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhanceme

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk7e80w.pdf pdf_icon

TK7E80W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK7E80WITK7E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.95.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.28mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , IRF1010E , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM .

History: SUD25N15-52-E3 | SI3475DV | CIM6N120-247 | SMG2306NE | ISF40NF20 | AUIRLU024N | MS12N65

 

 
Back to Top

 


 
.