TK7E80W - описание и поиск аналогов

 

TK7E80W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK7E80W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK7E80W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7E80W даташит

 ..1. Size:451K  toshiba
 tk7e80w.pdf pdf_icon

TK7E80W

TK7E80W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK7E80W TK7E80W TK7E80W TK7E80W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.795 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhanceme

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk7e80w.pdf pdf_icon

TK7E80W

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK7E80W ITK7E80W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 0.95 . Enhancement mode Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.28mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... TK4A80E , TK4R3A06PL , TK4R3E06PL , TK560A60Y , TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , IRF9540N , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , HY3810P , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM .

History: IPA60R280P7 | BSR302N | SL20N03 | BUZ380 | CS50N20ANH | 2SK2673 | AFN4172WSS8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.