Справочник MOSFET. TK7E80W

 

TK7E80W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK7E80W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для TK7E80W

 

 

TK7E80W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  toshiba
 tk7e80w.pdf

TK7E80W TK7E80W

TK7E80WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7E80WTK7E80WTK7E80WTK7E80W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.795 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhanceme

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk7e80w.pdf

TK7E80W TK7E80W

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK7E80WITK7E80WFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.95.Enhancement mode:Vth =3.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.28mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top