HY3810P Todos los transistores

 

HY3810P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HY3810P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 346 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1013 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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HY3810P datasheet

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HY3810P

HY3810P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/180A RDS(ON)= 5.0 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

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HY3810P

HY3810P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/180A RDS(ON)= 5.0 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

Otros transistores... TK560A65Y , TK5A90E , TK5R1E06PL , TK5R3A06PL , TK7E80W , TK8R2A06PL , TK8R2E06PL , FS5KM-10A , K3569 , HY3810M , HY3810B , HY3810PS , HY3810PM , HY3906P , HY3906B , HYG067N07NQ1P , HYG067N07NQ1B .

 

 

 


 
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