HY3810P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY3810P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 346 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1013 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HY3810P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY3810P даташит

 ..1. Size:971K  hymexa
 hy3810p hy3810m hy3810b hy3810ps hy3810pm.pdf pdf_icon

HY3810P

HY3810P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/180A RDS(ON)= 5.0 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

 8.1. Size:971K  hymexa
 hy3810.pdf pdf_icon

HY3810P

HY3810P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/180A RDS(ON)= 5.0 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

Другие IGBT... TK560A65Y, TK5A90E, TK5R1E06PL, TK5R3A06PL, TK7E80W, TK8R2A06PL, TK8R2E06PL, FS5KM-10A, 2SK3568, HY3810M, HY3810B, HY3810PS, HY3810PM, HY3906P, HY3906B, HYG067N07NQ1P, HYG067N07NQ1B