SVF4N65M Todos los transistores

 

SVF4N65M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF4N65M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37.33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: TO-251

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SVF4N65M datasheet

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SVF4N65M

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A 650V N 2 SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L 1 3

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History: IXFB110N60P3 | D7509 | SVS5N70MN | CSN64N12 | WML16N70SR | WMM05N70MM | WMP05N70MM

 

 

 

 

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