SVF4N65M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SVF4N65M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37.33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для SVF4N65M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVF4N65M даташит
svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A 650V N 2 SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L 1 3
Другие MOSFET... HYG067N07NQ1B , HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , AON7506 , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet