SVF4N65M - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF4N65M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF4N65M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 77 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.03 nC
   Время нарастания (tr): 37.33 ns
   Выходная емкость (Cd): 54 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для SVF4N65M

SVF4N65M Datasheet (PDF)

..1. Size:449K silan
svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

..2. Size:697K silan
svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

..3. Size:427K silan
svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS

..4. Size:620K silan
svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13

7.1. Size:642K silan
svf4n65.pdf

SVF4N65T/F(G)/M_Datasheet 4A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N65T/F(G)/M is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior

7.2. Size:672K silan
svf4n65rd svf4n65rm svf4n65rmj svf4n65rf svf4n65rt.pdf