Справочник MOSFET. SVF4N65M

 

SVF4N65M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37.33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для SVF4N65M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65M

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 ..2. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65M

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 ..3. Size:427K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65M

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS

 ..4. Size:620K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65M

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HYG067N07NQ1B , HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , IRFP250 , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 .

History: MS15N60 | AO4466L | SI2356DS

 

 
Back to Top

 


 
.