VP0300M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VP0300M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 Vtonⓘ - Tiempo de encendido: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-237
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VP0300M
VP0300M Datasheet (PDF)
vp0300l-ls vq2001j-p.pdf
VP0300L/LS, VQ2001J/PVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VP0300L 2.5 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.32VP0300LS 2.5 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.530VQ2001J 2 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.6VQ2001P 2 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.6FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD H
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Liste
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