Справочник MOSFET. VP0300M

 

VP0300M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VP0300M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-237
 

 Аналог (замена) для VP0300M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VP0300M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:85K  siliconix
 vp0300m.pdf pdf_icon

VP0300M

 8.1. Size:50K  vishay
 vp0300l-ls vq2001j-p.pdf pdf_icon

VP0300M

VP0300L/LS, VQ2001J/PVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)VP0300L 2.5 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.32VP0300LS 2.5 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.530VQ2001J 2 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.6VQ2001P 2 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.6FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD H

Другие MOSFET... HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , 20N50 , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 .

History: IRF830LPBF | AOD4182 | HB3710P | R6520ENX | S70N08RN | STP300NH02L | HY3007M

 

 
Back to Top

 


 
.