VP0300M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VP0300M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
ton ⓘ - Время включения: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-237
Аналог (замена) для VP0300M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VP0300M даташит
vp0300l-ls vq2001j-p.pdf
VP0300L/LS, VQ2001J/P Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) VP0300L 2.5 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.32 VP0300LS 2.5 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.5 30 VQ2001J 2 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.6 VQ2001P 2 @ VGS = 12 V 2 to 4.5 0.6 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D H
Другие MOSFET... HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , STP80NF70 , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 .
History: 2SK591 | AOC2403
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n

