CEBF630 Todos los transistores

 

CEBF630 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEBF630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO-263

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CEBF630 datasheet

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CEBF630

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CEBF630

CEPF634/CEBF634 CEIF634/CEFF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF634 250V 0.45 8.1A 10V CEBF634 250V 0.45 8.1A 10V CEIF634 250V 0.45 8.1A 10V CEFF634 250V 0.45 8.1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-

 9.1. Size:396K  cet
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CEBF630

CEPF640/CEBF640 CEFF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF640 200V 0.15 19A 10V CEBF640 200V 0.15 19A 10V CEFF640 200V 0.15 19A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Otros transistores... IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , TK10A60D , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F .

History: FDD6030BL | BFD77 | WMK4N150D1 | WMP10N65C4 | 2SK1835 | HY3408APS

 

 

 

 

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