CEBF630 Todos los transistores

 

CEBF630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEBF630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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CEBF630 Datasheet (PDF)

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CEBF630

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CEBF630

CEPF634/CEBF634CEIF634/CEFF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF634 250V 0.45 8.1A 10VCEBF634 250V 0.45 8.1A 10VCEIF634 250V 0.45 8.1A 10VCEFF634 250V 0.45 8.1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-

 9.1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEBF630

CEPF640/CEBF640 CEFF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF640 200V 0.15 19A 10VCEBF640 200V 0.15 19A 10VCEFF640 200V 0.15 19A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Otros transistores... IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , IRFZ24N , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F .

History: PSMN3R8-100BS | GSM4535W | APM1105NU | SFW107N200C3 | SUV90N06-05 | SMK0465I

 

 
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