Справочник MOSFET. CEBF630

 

CEBF630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEBF630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для CEBF630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEBF630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  cet
 cepf630 cebf630.pdf pdf_icon

CEBF630

 8.1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf pdf_icon

CEBF630

CEPF634/CEBF634CEIF634/CEFF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF634 250V 0.45 8.1A 10VCEBF634 250V 0.45 8.1A 10VCEIF634 250V 0.45 8.1A 10VCEFF634 250V 0.45 8.1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-

 9.1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEBF630

CEPF640/CEBF640 CEFF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF640 200V 0.15 19A 10VCEBF640 200V 0.15 19A 10VCEFF640 200V 0.15 19A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

Другие MOSFET... IPB07N03L , IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , IRFZ24N , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F .

History: CS3N65A4H-G | CS3N90A8 | WMC1N40D1

 

 
Back to Top

 


 
.