CS64N12 Todos los transistores

 

CS64N12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS64N12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de CS64N12 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS64N12 datasheet

 ..1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CS64N12

CS64N12 CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

 9.1. Size:896K  thinkisemi
 cs64n90f cs64n90 cs64n90b.pdf pdf_icon

CS64N12

CS64N90 Pb CS64N90 Pb Free Plating Product 85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFET General Description CS64N90 (TO-220 HeatSink) CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS G Fea

Otros transistores... IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , AO4407 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P .

History: WML9N90D1B | WMO05N80M3 | WMM08N70EM | WMN13N50C4 | WMM36N65F2 | CS55N25A8R-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.