Справочник MOSFET. CS64N12

 

CS64N12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS64N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CS64N12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS64N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CS64N12

CS64N12\ CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

 9.1. Size:896K  thinkisemi
 cs64n90f cs64n90 cs64n90b.pdf pdf_icon

CS64N12

CS64N90 PbCS64N90Pb Free Plating Product85V,92A N-Channel Trench Process Power MOSFETGeneral Description CS64N90(TO-220 HeatSink)CS64N90 series is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. DS GFea

Другие MOSFET... IPW60R060P7 , SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , P60NF06 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P .

History: NDB710A | TMPF830AZ | STP80N20M5 | ST10E4 | SML1002R4CN | LSK3541FS8 | IPI05CNE8NG

 

 
Back to Top

 


 
.