CSN64N12 Todos los transistores

CSN64N12 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CSN64N12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 82 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 463 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0068 Ohm

Encapsulados: TO-220N

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros