Справочник MOSFET. CSN64N12

 

CSN64N12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CSN64N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm
   Тип корпуса: TO-220N
 

 Аналог (замена) для CSN64N12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSN64N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CSN64N12

CS64N12\ CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

Другие MOSFET... SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , 18N50 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H .

History: HSCE2530 | STE24NA100 | BUZ101L | SRC60R090BS | SK860314 | PSMN004-36B

 

 
Back to Top

 


 
.