CSN64N12 - описание и поиск аналогов

 

CSN64N12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSN64N12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 82 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 463 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0068 Ohm

Тип корпуса: TO-220N

Аналог (замена) для CSN64N12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CSN64N12 даташит

 ..1. Size:603K  cass
 cs64n12 csn64n12.pdf pdf_icon

CSN64N12

CS64N12 CSN64N12 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The 64N12 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching especially for E-Bike controller applications. Features VDS=82V; ID=120A@ VGS=10V; RDS(ON)

Другие MOSFET... SVF4N65T , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , BS170 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H .

History: IRF9243 | SM1A18NSQG | SVF4N65F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.