ID7509 Todos los transistores

 

ID7509 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ID7509

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-262

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ID7509 datasheet

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ID7509

D7509/FD7509/ID7509/ED7509 80A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS V DS = 75V Used advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with R 6.7m DS(on) TYP) = the RoHS standard. I = 80A D 2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Switching

 ..2. Size:1010K  cn wxdh
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ID7509

D7509/FD7509/ID7509/ED7509 80A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 75V Used advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with G RDS = 6.7m (on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S ID = 80A 2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Swit

Otros transistores... SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , IRF1407 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 .

History: IXFB132N50P3 | WMO18N50C4 | WML26N65SR | WMO16N70SR | IRLZ24

 

 

 

 

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