Справочник MOSFET. ID7509

 

ID7509 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ID7509
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для ID7509

 

 

ID7509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  china
 d7509 fd7509 id7509 ed7509.pdf

ID7509 ID7509

D7509/FD7509/ID7509/ED750980A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETSVDS = 75VUsed advanced trench technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withR 6.7mDS(on) TYP) =the RoHS standard.I = 80AD2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top