ED7509 Todos los transistores

 

ED7509 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ED7509
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 373 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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ED7509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  china
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ED7509

D7509/FD7509/ID7509/ED750980A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETSVDS = 75VUsed advanced trench technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withR 6.7mDS(on) TYP) =the RoHS standard.I = 80AD2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Switching

 ..2. Size:1010K  cn wxdh
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ED7509

D7509/FD7509/ID7509/ED750980A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 75VUsed advanced trench technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withG RDS = 6.7m(on) (TYP)the RoHS standard.13 S ID = 80A2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Swit

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History: STB40N20 | WPM2019 | HSL0107 | RU30160R | HSCS2052 | IRF7304 | FDBL86366-F085

 

 
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