ED7509 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ED7509
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 108 nC
Tiempo de subida (tr): 42 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 373 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
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ED7509 Datasheet (PDF)
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D7509/FD7509/ID7509/ED750980A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETSVDS = 75VUsed advanced trench technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withR 6.7mDS(on) TYP) =the RoHS standard.I = 80AD2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Switching
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