Справочник MOSFET. ED7509

 

ED7509 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ED7509
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 108 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для ED7509

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ED7509 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  china
 d7509 fd7509 id7509 ed7509.pdf pdf_icon

ED7509

D7509/FD7509/ID7509/ED750980A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETSVDS = 75VUsed advanced trench technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withR 6.7mDS(on) TYP) =the RoHS standard.I = 80AD2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Switching

 ..2. Size:1010K  cn wxdh
 d7509 fd7509 id7509 ed7509.pdf pdf_icon

ED7509

D7509/FD7509/ID7509/ED750980A 75V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 75VUsed advanced trench technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withG RDS = 6.7m(on) (TYP)the RoHS standard.13 S ID = 80A2 Features Low On Resistance Low Gate Charge Fast Swit

Другие MOSFET... VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , 5N65 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 .

History: SSI5N80A

 

 
Back to Top

 


 
.