DFF2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DFF2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de DFF2N60 MOSFET
DFF2N60 Datasheet (PDF)
dff2n60.pdf

www.DataSheet4U.comDFF2N60N-Channel MOSFETFeatures 2. Drain High ruggednessBVDSS = 600V RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V RDS(ON) = 5.5 ohm Gate Charge (Typical 15nC) 1. Gate Improved dv/dt Capability ID = 2.4A 100% Avalanche Tested3. Source General DescriptionTO-220FThis N-channel enhanceme
Otros transistores... CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , 75N75 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A .
History: NTTFS5826NL | NTZD3154N
History: NTTFS5826NL | NTZD3154N



Liste
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