Справочник MOSFET. DFF2N60

 

DFF2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DFF2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DFF2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:701K  di semiconductor
 dff2n60.pdf pdf_icon

DFF2N60

www.DataSheet4U.comDFF2N60N-Channel MOSFETFeatures 2. Drain High ruggednessBVDSS = 600V RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V RDS(ON) = 5.5 ohm Gate Charge (Typical 15nC) 1. Gate Improved dv/dt Capability ID = 2.4A 100% Avalanche Tested3. Source General DescriptionTO-220FThis N-channel enhanceme

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SJ76 | AOD4T60 | SUD50N06-07L | MDP06N090TH | BF1105R | STF140N8F7 | VSO008N10MS

 

 
Back to Top

 


 
.