Справочник MOSFET. DFF2N60

 

DFF2N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DFF2N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для DFF2N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DFF2N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:701K  di semiconductor
 dff2n60.pdf pdf_icon

DFF2N60

www.DataSheet4U.comDFF2N60N-Channel MOSFETFeatures 2. Drain High ruggednessBVDSS = 600V RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V RDS(ON) = 5.5 ohm Gate Charge (Typical 15nC) 1. Gate Improved dv/dt Capability ID = 2.4A 100% Avalanche Tested3. Source General DescriptionTO-220FThis N-channel enhanceme

Другие MOSFET... CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , STP80NF70 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A .

History: 18N10W | IRFBC30P | GSM4422 | SWN6N70DA | STFU16N65M2 | SFT016N80C3

 

 
Back to Top

 


 
.