DFF2N60 - описание и поиск аналогов

 

DFF2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DFF2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для DFF2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DFF2N60 даташит

 ..1. Size:701K  di semiconductor
 dff2n60.pdf pdf_icon

DFF2N60

www.DataSheet4U.com DFF2N60 N-Channel MOSFET Features 2. Drain High ruggedness BVDSS = 600V RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V RDS(ON) = 5.5 ohm Gate Charge (Typical 15nC) 1. Gate Improved dv/dt Capability ID = 2.4A 100% Avalanche Tested 3. Source General Description TO-220F This N-channel enhanceme

Другие MOSFET... CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , 10N65 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.