SUP60N06-18 Todos los transistores

 

SUP60N06-18 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUP60N06-18

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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SUP60N06-18 datasheet

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SUP60N06-18

SUP/SUB60N06-18 Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 60 0.018 60 TO-220AB D TO-263 DRAIN connected to TAB G G D S G D S Top View Top View S SUB60N06-18 SUP60N06-18 N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V V Gate-Sourc

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SUP60N06-18

SUP60N02-4m5P Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a 175 C Junction Temperature RoHS 0.0045 at VGS = 10 V 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 20 0.0065 at VGS = 4.5 V 60 100 % UIS Tested APPLICATIONS OR-ing TO-220AB D DRAIN connected to TAB G G D S Top

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History: APT4014BVFR | WMO26N65F2 | APT47N65BC3 | HY3810PM | WSF30P06 | WMJ80R480S

 

 

 

 

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