Справочник MOSFET. SUP60N06-18

 

SUP60N06-18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SUP60N06-18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SUP60N06-18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  vishay
 sup60n06-18 sub60n06-18.pdf pdf_icon

SUP60N06-18

SUP/SUB60N06-18Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.018 60TO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D SG D STop ViewTop ViewSSUB60N06-18SUP60N06-18N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 60VVGate-Sourc

 4.1. Size:164K  vishay
 sup60n06-12p.pdf pdf_icon

SUP60N06-18

SUP60N06-12PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition60 0.012 at VGS = 10 V60d 33 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Synchronous Rectifier

 6.1. Size:162K  vishay
 sup60n06.pdf pdf_icon

SUP60N06-18

SUP60N06-12PVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition60 0.012 at VGS = 10 V60d 33 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Synchronous Rectifier

 7.1. Size:171K  vishay
 sup60n02.pdf pdf_icon

SUP60N06-18

SUP60N02-4m5PVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)a 175 C Junction TemperatureRoHS0.0045 at VGS = 10 V60 100 % Rg Tested COMPLIANT 200.0065 at VGS = 4.5 V60 100 % UIS TestedAPPLICATIONS OR-ingTO-220ABDDRAIN connected to TABGG D STop

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.