BLV108 Todos los transistores

 

BLV108 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLV108
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-92

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLV108

 

BLV108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  belling
blv108.pdf

BLV108 BLV108

BLV108 N MOSFET N MOSFETN MOSFETN MOSFET: :: : N VDMOS (T=25) (T=25) (T=25)

 9.1. Size:63K  philips
blv100.pdf

BLV108 BLV108

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV100UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV100FEATURES PIN CONFIGURATION Internal input matching to achievehigh power gain Ballasting resistors for an optimumhalfpagetemperature profile Gold metallization ensuresexcellent reliability.1 2c

 9.2. Size:66K  philips
blv10.pdf

BLV108 BLV108

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV10VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV10It has a 3/8 flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.

 9.3. Size:70K  philips
blv103.pdf

BLV108 BLV108

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV103UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV103FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th =25C in a common emitter test circuit. Internal matching for an optimumwideband capability and high gainf VCE PL Gp CMODE OF OPERATION Emitter-ball

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