BLV108 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLV108
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.8 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 30 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLV108
BLV108 Datasheet (PDF)
blv108.pdf
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BLV108 N MOSFET N MOSFETN MOSFETN MOSFET: :: : N VDMOS (T=25) (T=25) (T=25)
blv100.pdf
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV100UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV100FEATURES PIN CONFIGURATION Internal input matching to achievehigh power gain Ballasting resistors for an optimumhalfpagetemperature profile Gold metallization ensuresexcellent reliability.1 2c
blv10.pdf
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV10VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV10It has a 3/8 flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.
blv103.pdf
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV103UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV103FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th =25C in a common emitter test circuit. Internal matching for an optimumwideband capability and high gainf VCE PL Gp CMODE OF OPERATION Emitter-ball
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