Справочник MOSFET. BLV108

 

BLV108 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLV108
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-92

 Аналог (замена) для BLV108

 

 

BLV108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  belling
 blv108.pdf

BLV108 BLV108

BLV108 N MOSFET N MOSFETN MOSFETN MOSFET: :: : N VDMOS (T=25) (T=25) (T=25)

 9.1. Size:63K  philips
 blv100.pdf

BLV108 BLV108

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV100UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV100FEATURES PIN CONFIGURATION Internal input matching to achievehigh power gain Ballasting resistors for an optimumhalfpagetemperature profile Gold metallization ensuresexcellent reliability.1 2c

 9.2. Size:66K  philips
 blv10.pdf

BLV108 BLV108

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV10VHF power transistorAugust 1986Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationVHF power transistor BLV10It has a 3/8 flange envelope with aDESCRIPTIONceramic cap. All leads are isolatedN-P-N silicon planar epitaxialfrom the flange.transistor intended for use in class-A,B and C operated mobile, h.f. andv.h.

 9.3. Size:70K  philips
 blv103.pdf

BLV108 BLV108

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLV103UHF power transistorMarch 1993Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF power transistor BLV103FEATURES QUICK REFERENCE DATARF performance at Th =25C in a common emitter test circuit. Internal matching for an optimumwideband capability and high gainf VCE PL Gp CMODE OF OPERATION Emitter-ball

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WML30N80M3

 

 
Back to Top